Транзистор IRF6729M
Цоколевка транзистора IRF6729MХарактеристики транзистора IRF6729M- Корпус - DIRECTFET MX
- Напряжение пробоя сток-исток 30 В
- Максимальное напряжение затвора 20 В
- Сопротивление в открытом состоянии 1.8 мОм
- Ток стока 190 А
- Заряд затвора 42.0 нКл
- Термосопротивление 1.2 К/Вт
- Рассеиваемая мощность 104 Вт
|