Транзистор IRF7807D1
Цоколевка транзистора IRF7807D1Характеристики транзистора IRF7807D1- Корпус - SO-8
- Напряжение пробоя сток-исток 30 В
- Максимальное напряжение затвора 12 В
- Сопротивление в открытом состоянии 25.0 мОм
- Термосопротивление 50 (JA) К/Вт
|