Транзистор IRF7807VD1
Цоколевка транзистора IRF7807VD1Характеристики транзистора IRF7807VD1- Корпус - SO-8
- Напряжение пробоя сток-исток 30 В
- Максимальное напряжение затвора 20 В
- Сопротивление в открытом состоянии 25.0 мОм
- Заряд затвора 9.5 нКл
- Термосопротивление 50 (JA) К/Вт
|