Транзистор IRFH5110
Цоколевка транзистора IRFH5110Характеристики транзистора IRFH5110- Корпус - PQFN 5 X 6 B
- Напряжение пробоя сток-исток 100 В
- Максимальное напряжение затвора 20 В
- Сопротивление в открытом состоянии 12.4 мОм
- Ток стока 63 А
- Заряд затвора 48.0 нКл
- Термосопротивление 1.1 К/Вт
- Рассеиваемая мощность 114 Вт
|