Справочник по отечественным транзисторам

Транзистор 1Т813Б

Цоколевка транзистора 1Т813Б

Обозначение транзистора 1Т813Б на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора 1Т813Б обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Характеристики транзистора 1Т813Б

Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 125 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 125 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 30000(40000) мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1.5(50) Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 10-60
Обратный ток коллектора <=16 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>5 МГц

Смотрите также:

	1Т813А
	1Т813В
	Обозначение транзисторов на схеме
	Цоколевка транзисторов
	Проверка транзисторов мультиметром

Справочник по отечественным транзисторам

Справочник

Главная