Транзистор 2Т709А2
Цоколевка транзистора 2Т709А2Обозначение транзистора 2Т709А2 на схемахНа принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим.
Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме).
Условное графическое обозначение транзистора 2Т709А2 обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус.
Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор.
Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.
Характеристики транзистора 2Т709А2- Структура p-n-p
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 100 В
- Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 10000 (20000) мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1(30) Вт
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером =>500
- Обратный ток коллектора <=1000 мкА
- Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>5 МГц
- Коэффициент шума биполярного транзистора <2 дБ
|