Справочник по отечественным транзисторам

Транзистор 2Т716Б1

Цоколевка транзистора 2Т716Б1

Обозначение транзистора 2Т716Б1 на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора 2Т716Б1 обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

Характеристики транзистора 2Т716Б1

Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 80 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 80 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 10000 (20000) мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1(30) Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером =>750
Обратный ток коллектора <=1000 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>5 МГц
Коэффициент шума биполярного транзистора <2 дБ

Смотрите также:

	2Т716А1
	КТ316Д
	Обозначение транзисторов на схеме
	Цоколевка транзисторов
	Проверка транзисторов мультиметром

Справочник по отечественным транзисторам

Справочник

Главная