Транзистор 2Т812А
Цоколевка транзистора 2Т812АОбозначение транзистора 2Т812А на схемахНа принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим.
Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме).
Условное графическое обозначение транзистора 2Т812А обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус.
Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор.
Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.
Характеристики транзистора 2Т812А- Структура n-p-n
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 700 В
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 700 В
- Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 10000 (17000) мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (50) Вт
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером =>5
- Обратный ток коллектора <=5000 мкА
- Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>3 МГц
- Коэффициент шума биполярного транзистора <2.5 дБ
|