Транзистор 2Т825Б
Цоколевка транзистора 2Т825БОбозначение транзистора 2Т825Б на схемахНа принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим.
Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме).
Условное графическое обозначение транзистора 2Т825Б обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус.
Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор.
Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.
Характеристики транзистора 2Т825Б- Структура p-n-p
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 80 В
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 80 В
- Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 20000 (40000) мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (160) Вт
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 750-18000
- Обратный ток коллектора <=1000 мкА
- Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>4 МГц
- Коэффициент шума биполярного транзистора <2 дБ
|