Справочник по отечественным транзисторам

Транзистор ГТ806Г

Цоколевка транзистора ГТ806Г

Обозначение транзистора ГТ806Г на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора ГТ806Г обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Характеристики транзистора ГТ806Г

Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 50 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 50 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 15000 мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 2(30) Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 10-100
Обратный ток коллектора <=15000 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>10 МГц

Смотрите также:

	ГТ806Д
	П216В
	Обозначение транзисторов на схеме
	Цоколевка транзисторов
	Проверка транзисторов мультиметром

Справочник по отечественным транзисторам

Справочник

Главная