Справочник по отечественным транзисторам

Транзистор КТ306ГМ

Цоколевка транзистора КТ306ГМ

Обозначение транзистора КТ306ГМ на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ306ГМ обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

Характеристики транзистора КТ306ГМ

Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 10 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 30(50) мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.15 Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 40-200
Обратный ток коллектора <=0.5 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>500 МГц

Смотрите также:

	ГТ806Д
	П216В
	Обозначение транзисторов на схеме
	Цоколевка транзисторов
	Проверка транзисторов мультиметром

Справочник по отечественным транзисторам

Справочник

Главная