Транзистор КТ316Б
Цоколевка транзистора КТ316БОбозначение транзистора КТ316Б на схемахНа принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим.
Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме).
Условное графическое обозначение транзистора КТ316Б обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус.
Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор.
Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.
Характеристики транзистора КТ316Б- Структура n-p-n
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 10 В
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 10 В
- Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 50 мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.15 Вт
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 40-120
- Обратный ток коллектора <=0.5 мкА
- Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>800 МГц
Аналоги транзистора КТ316Б- 2N2475, 2N2784, 2N709, 2N709A, 2N3010
|