Транзистор КТ502Г
Цоколевка транзистора КТ502ГОбозначение транзистора КТ502Г на схемахНа принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим.
Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме).
Условное графическое обозначение транзистора КТ502Г обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус.
Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор.
Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.
Характеристики транзистора КТ502Г- Структура p-n-p
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 60 В
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 40 В
- Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 150(350) мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.35 Вт
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 80-240
- Обратный ток коллектора <=1 мкА
- Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>350 МГц
Аналоги транзистора КТ502Г
|