Транзистор КТ503Б
Цоколевка транзистора КТ503БОбозначение транзистора КТ503Б на схемахНа принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим.
Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме).
Условное графическое обозначение транзистора КТ503Б обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус.
Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор.
Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.
Характеристики транзистора КТ503Б- Структура n-p-n
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 40 В
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 25 В
- Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 150(350) мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.35 Вт
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 80-240
- Обратный ток коллектора <=1 мкА
- Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>350 МГц
Аналоги транзистора КТ503Б
|