Транзистор КТ504В
Цоколевка транзистора КТ504ВОбозначение транзистора КТ504В на схемахНа принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим.
Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме).
Условное графическое обозначение транзистора КТ504В обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус.
Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор.
Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.
Характеристики транзистора КТ504В- Структура n-p-n
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 300 В
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 275 В
- Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 1000(2000) мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1(10) Вт
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 15-100
- Обратный ток коллектора <=100 мкА
- Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>20 МГц
|