Транзистор КТ807Б
Цоколевка транзистора КТ807БОбозначение транзистора КТ807Б на схемахНа принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим.
Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме).
Условное графическое обозначение транзистора КТ807Б обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус.
Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор.
Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.
Характеристики транзистора КТ807Б- Структура n-p-n
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 100 В
- Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 500(1500) мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (10) Вт
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 30-100
- Обратный ток коллектора <=5000 мкА
- Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>5 МГц
- Коэффициент шума биполярного транзистора <1 дБ
Аналоги транзистора КТ807Б- MPSU01, MPSU01A, MPSU05, MPSU06
|