Справочник по отечественным транзисторам

Транзистор КТ808ГМ

Цоколевка транзистора КТ808ГМ

Обозначение транзистора КТ808ГМ на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ808ГМ обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

Характеристики транзистора КТ808ГМ

Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 70(80) В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 70(80) В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 10000 мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (60) Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 20-125
Обратный ток коллектора <=2000 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>8 МГц
Коэффициент шума биполярного транзистора <2.5 дБ

Аналоги транзистора КТ808ГМ

2N6372, 2N6373

Смотрите также:

	КТ208Е
	КТ208И
	Обозначение транзисторов на схеме
	Цоколевка транзисторов
	Проверка транзисторов мультиметром

Справочник по отечественным транзисторам

Справочник

Главная