Транзистор КТ812В
Цоколевка транзистора КТ812ВОбозначение транзистора КТ812В на схемахНа принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим.
Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме).
Условное графическое обозначение транзистора КТ812В обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус.
Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор.
Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.
Характеристики транзистора КТ812В- Структура n-p-n
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 300 В
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 300 В
- Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 8000(12000) мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (50) Вт
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером =>10
- Обратный ток коллектора <=5000 мкА
- Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>3 МГц
- Коэффициент шума биполярного транзистора <2.5 дБ
Аналоги транзистора КТ812В- BDY25, KU605, KU607, KUY12
|