Справочник по отечественным транзисторам

Транзистор КТ815Г

Цоколевка транзистора КТ815Г

Обозначение транзистора КТ815Г на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ815Г обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

Характеристики транзистора КТ815Г

Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 85 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 1500(3000) мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1(10) Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 30-275
Обратный ток коллектора <=50 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>3 МГц
Коэффициент шума биполярного транзистора <0.6 дБ

Аналоги транзистора КТ815Г

TIP29C, TIP61C

Смотрите также:

	КТ315Е
	КТ315И
	Обозначение транзисторов на схеме
	Цоколевка транзисторов
	Проверка транзисторов мультиметром

Справочник по отечественным транзисторам

Справочник

Главная