Транзистор КТ815В
Цоколевка транзистора КТ815ВОбозначение транзистора КТ815В на схемахНа принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим.
Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме).
Условное графическое обозначение транзистора КТ815В обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус.
Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор.
Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.
Характеристики транзистора КТ815В- Структура n-p-n
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 70 В
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 65 В
- Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 1500(3000) мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1(10) Вт
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 40-275
- Обратный ток коллектора <=50 мкА
- Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>3 МГц
- Коэффициент шума биполярного транзистора <0.6 дБ
Аналоги транзистора КТ815В
|