Транзистор КТ817В
Цоколевка транзистора КТ817ВОбозначение транзистора КТ817В на схемахНа принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим.
Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме).
Условное графическое обозначение транзистора КТ817В обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус.
Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор.
Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.
Характеристики транзистора КТ817В- Структура n-p-n
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 60 В
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 60 В
- Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 3000(6000) мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1(25) Вт
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 25-275
- Обратный ток коллектора <=100 мкА
- Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>3 МГц
- Коэффициент шума биполярного транзистора <0.6 дБ
Аналоги транзистора КТ817В- 2N5191, 2SD1354, 2SD1406, 2SD292, 2SD880, 2SD1354, 2SD1406, BD935, TIP31B, 2N6122, BD177, BD221, BD235, BD239, BD239A, BD439, BD617
|