Справочник по отечественным транзисторам

Транзистор КТ825Е

Цоколевка транзистора КТ825Е

Обозначение транзистора КТ825Е на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ825Е обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Характеристики транзистора КТ825Е

Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 30 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 30 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 20000(30000) мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (125) Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 750-18000
Обратный ток коллектора <=1000 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>4 МГц
Коэффициент шума биполярного транзистора <2 дБ

Смотрите также:

	КТ825Д
	КТ825Г
	Обозначение транзисторов на схеме
	Цоколевка транзисторов
	Проверка транзисторов мультиметром

Справочник по отечественным транзисторам

Справочник

Главная