Транзистор КТ854Б
Цоколевка транзистора КТ854БОбозначение транзистора КТ854Б на схемахНа принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим.
Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме).
Условное графическое обозначение транзистора КТ854Б обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус.
Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор.
Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.
Характеристики транзистора КТ854Б- Структура n-p-n
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 400 В
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 400 В
- Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 10000(15000) мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (60) Вт
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером =>20
- Обратный ток коллектора <=3000 мкА
- Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>10 МГц
- Коэффициент шума биполярного транзистора <2 дБ
|