Справочник по отечественным транзисторам

Транзистор КТ855Б

Цоколевка транзистора КТ855Б

Обозначение транзистора КТ855Б на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ855Б обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Характеристики транзистора КТ855Б

Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 150 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 150 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 5000(8000) мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (40) Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером =>20
Обратный ток коллектора <=100 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>5 МГц
Коэффициент шума биполярного транзистора <1 дБ

Смотрите также:

	КТ855А
	КТ855В
	Обозначение транзисторов на схеме
	Цоколевка транзисторов
	Проверка транзисторов мультиметром

Справочник по отечественным транзисторам

Справочник

Главная