Транзистор 2N3636Цоколевка транзистора 2N3636Характеристики транзистора 2N3636- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -175 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -175 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -1 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 5 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 50 до 150
- Корпус: TO-39
АналогиТранзистор 2N3636 можно заменить на 2N5415
|