Транзистор 2N5550Цоколевка транзистора 2N5550Характеристики транзистора 2N5550- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 140 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 160 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
- Ток коллектора, не более: 0.6 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 250
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
- Корпус: TO-92
Комплементарная параКомплементарной парой для 2N5550 является транзистор 2N5400 c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2N5550 можно заменить на 2N5833, 2SC1009, KSC1009
|