Транзистор 2N5880

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -15 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 160 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 20 до 100
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
• Корпус: TO-3

Комплементарной парой для 2N5880 является транзистор 2N5882 c n-p-n структурой.Транзистор 2N5880 можно заменить на 2N5884, 2N5884G, 2N6247, 2N6248, MJ14003, MJ14003G