Транзистор 2N6673

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 650 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 8 V
• Ток коллектора, не более: 8 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 150 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 10 до 40
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 60 МГц
• Корпус: TO-3

Транзистор 2N6673 можно заменить на 2N6678, BUX48, BUX48A, MJ12021, MJ12022, MJ16006, MJ16008, MJ8504, MJ8505