Транзистор 2SA636-MЦоколевка транзистора 2SA636-MХарактеристики транзистора 2SA636-M- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -45 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -70 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -3 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 50 до 100
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 45 МГц
- Корпус: TO-202
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SA636 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SA636-N имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 60, 2SA636-M - в диапазоне от 50 до 100, 2SA636-L - в диапазоне от 80 до 160, 2SA636-K - в диапазоне от 120 до 250. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SA636-M часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " A636-M". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SA636-M является транзистор 2SC1098-M c n-p-n структурой. АналогиТранзистор 2SA636-M можно заменить на 2SA636A, 2SA636A-M
|