Транзистор 2SB1009-P

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -32 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -40 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -2 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 82 до 180
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
• Корпус: TO-126

Транзисторы серии 2SB1009 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1009-P имеет коэффициент усиления в диапазоне от 82 до 180, 2SB1009-Q - в диапазоне от 120 до 270, 2SB1009-R - в диапазоне от 180 до 390.Обозначение на корпусе транзистора 2SB1009-P часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B1009-P".Комплементарной парой для 2SB1009-P является транзистор 2SD1380-P c n-p-n структурой.Транзистор 2SB1009-P можно заменить на 2SA1214, 2SA1217, 2SB744, 2SB744A, BD132, BD176, BD178, BD180, BD180G, BD188, BD190, BD234, BD234G, BD236, BD236G, BD238, BD238G, BD376, BD378, BD380, BD786, BD788, BD788G, BD790, BD792, KSB744, KSB744A, KSE170, KSE171, KSE172, KTA1715, MJE170, MJE170G, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE230, MJE232, MJE233, MJE235, MJE250, MJE251, MJE252, MJE253, MJE253G, MJE254, MJE371, MJE371G