Транзистор 2SB1017

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 40 до 240
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 9 МГц
• Корпус: TO-220F

Транзисторы серии 2SB1017 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1017-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, 2SB1017-O - в диапазоне от 70 до 140, 2SB1017-Y - в диапазоне от 120 до 240.Обозначение на корпусе транзистора 2SB1017 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B1017".Комплементарной парой для 2SB1017 является транзистор 2SD1408 c n-p-n структурой.Транзистор 2SB1017 можно заменить на 2SA1488A, 2SA771, 2SB1016, 2SB1367, 2SB1368, 2SB595, 2SB596, 2SB633, 2SB762A, 2SB942A, 2SB995, 2SB996, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD800, BD802, BD810, BD952, BD954, BD956, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, KSB1017, KSB596, KTB1367, KTB1368, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G