Транзистор 2SB1110-CЦоколевка транзистора 2SB1110-CХарактеристики транзистора 2SB1110-C- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -200 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -200 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -0.1 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1.25 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
- Корпус: TO-126
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SB1110 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1110-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB1110-C - в диапазоне от 100 до 200, 2SB1110-D - в диапазоне от 160 до 320. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SB1110-C часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " B1110-C". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SB1110-C является транзистор 2SD1610-C c n-p-n структурой. АналогиТранзистор 2SB1110-C можно заменить на 2SA1156, 2SA1156K, 2SA1210, 2SA1210-R, 2SA1352, 2SA1352-E, 2SA1353, 2SA1353-E, 2SA1380, 2SA1380-E, 2SA1381, 2SA1381-E, 2SA1406, 2SA1406-E, 2SA1407, 2SA1407-E, KSA1156, KSA1156Y, KSA1381, KSA1381-E, KSE350, KTA1703, KTA1703-Y, MJE350, MJE350G
|