Транзистор 2SB1121-TЦоколевка транзистора 2SB1121-TХарактеристики транзистора 2SB1121-T- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -30 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
- Ток коллектора, не более: -2 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 200 до 400
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц
- Корпус: SOT-89
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SB1121 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1121-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 100 до 200, 2SB1121-S - в диапазоне от 140 до 280, 2SB1121-T - в диапазоне от 200 до 400, 2SB1121-U - в диапазоне от 280 до 560. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SB1121-T часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " B1121-T". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SB1121-T является транзистор 2SD1621-T c n-p-n структурой. АналогиТранзистор 2SB1121-T можно заменить на 2STF2360
|