Транзистор 2SB1163

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -180 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -180 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -15 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 150 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 60 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
• Корпус: TO-3P

Транзисторы серии 2SB1163 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1163-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB1163-S - в диапазоне от 80 до 160, 2SB1163-P - в диапазоне от 100 до 200.Обозначение на корпусе транзистора 2SB1163 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B1163".Комплементарной парой для 2SB1163 является транзистор 2SD1718 c n-p-n структурой.