Цоколевка транзистора 2SD1718
Характеристики транзистора 2SD1718
- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 180 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 180 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 15 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 150 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 200
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
- Корпус: TO-3P
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SD1718 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор
2SD1718-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от
60 до
120,
2SD1718-S - в диапазоне от
80 до
160,
2SD1718-P - в диапазоне от
100 до
200.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SD1718 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "
D1718".
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SD1718 является транзистор
2SB1163 c p-n-p структурой.
Аналоги
Транзистор 2SD1718 можно заменить на
2SC3320,
2SD1313