Транзистор 2SB1186

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -1.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 100 до 320
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц
• Корпус: TO-220F

Транзисторы серии 2SB1186 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1186-E имеет коэффициент усиления в диапазоне от 100 до 200, 2SB1186-F - в диапазоне от 160 до 320.Обозначение на корпусе транзистора 2SB1186 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B1186".Комплементарной парой для 2SB1186 является транзистор 2SD1763 c n-p-n структурой.Транзистор 2SB1186 можно заменить на 2SA1006, 2SA1006A, 2SA1006B, 2SA1078, 2SA1667, 2SA1668, 2SA1930, 2SA985, 2SA985A, 2SB547, BD956, BDT88, BDT88F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G