Транзистор 2SB1186AЦоколевка транзистора 2SB1186AХарактеристики транзистора 2SB1186A- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -160 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -160 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -1.5 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 200
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц
- Корпус: TO-220F
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SB1186A делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1186A-D имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB1186A-E - в диапазоне от 100 до 200. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SB1186A часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " B1186A". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SB1186A является транзистор 2SD1763A c n-p-n структурой. АналогиТранзистор 2SB1186A можно заменить на 2SA1006, 2SA1006A, 2SA1006B, 2SA1011, 2SA1668, 2SA1859A, 2SA1964, 2SB630, 2SB940A, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G
|