Транзистор 2SB1559Цоколевка транзистора 2SB1559Характеристики транзистора 2SB1559- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -150 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -160 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -8 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 5000 до 30000
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 65 МГц
- Корпус: TO-3P
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SB1559 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1559-O имеет коэффициент усиления в диапазоне от 5000 до 12000, 2SB1559-P - в диапазоне от 6500 до 20000, 2SB1559-Y - в диапазоне от 15000 до 30000. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SB1559 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " B1559". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SB1559 является транзистор 2SD2389 c n-p-n структурой. АналогиТранзистор 2SB1559 можно заменить на 2SB1560, BDV66D
|