Транзистор 2SB1559-P

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -150 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -160 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -8 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 6500 до 20000
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 65 МГц
• Корпус: TO-3P

Транзисторы серии 2SB1559 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1559-O имеет коэффициент усиления в диапазоне от 5000 до 12000, 2SB1559-P - в диапазоне от 6500 до 20000, 2SB1559-Y - в диапазоне от 15000 до 30000.Обозначение на корпусе транзистора 2SB1559-P часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B1559-P".Комплементарной парой для 2SB1559-P является транзистор 2SD2389-P c n-p-n структурой.Транзистор 2SB1559-P можно заменить на 2SB1560, 2SB1560-P, BDV66D