Транзистор 2SB502A-OЦоколевка транзистора 2SB502A-OХарактеристики транзистора 2SB502A-O- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -110 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -10 V
- Ток коллектора, не более: -3 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 50 до 140
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 5 МГц
- Корпус: TO-66
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SB502A делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB502A-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 30 до 70, 2SB502A-O - в диапазоне от 50 до 140, 2SB502A-Y - в диапазоне от 100 до 280. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SB502A-O часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " B502A-O". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SB502A-O является транзистор 2SD877-O c n-p-n структурой. АналогиТранзистор 2SB502A-O можно заменить на 2N6467, 2N6468
|