Транзистор 2SB649A

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -160 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -180 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -1.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 60 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
• Корпус: TO-126

Транзисторы серии 2SB649A делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB649A-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB649A-C - в диапазоне от 100 до 200.Обозначение на корпусе транзистора 2SB649A часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B649A".Комплементарной парой для 2SB649A является транзистор 2SD669A c n-p-n структурой.