Транзистор 2SB703

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 40 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
• Корпус: TO-220

Транзисторы серии 2SB703 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB703-S имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, 2SB703-R - в диапазоне от 60 до 120, 2SB703-Q - в диапазоне от 100 до 200.Обозначение на корпусе транзистора 2SB703 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B703".Комплементарной парой для 2SB703 является транзистор 2SD743 c p-n-p структурой.Транзистор 2SB703 можно заменить на 2SA1010, 2SB1016, 2SB1090, 2SB1367, 2SB595, 2SB633, 2SB703A, 2SB995, 2SD743, 2SD743A, BD244C, BD540C, BD802, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT96, BDT96F, BDX78, KSA1010, KTB1367, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G