Транзистор 2SB772E

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -40 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -3 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 200 до 400
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 80 МГц
• Корпус: TO-126

Транзисторы серии 2SB772 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB772R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB772O - в диапазоне от 100 до 200, 2SB772Y - в диапазоне от 160 до 320, 2SB772GR - в диапазоне от 200 до 400, 2SB772Q - в диапазоне от 100 до 200, 2SB772P - в диапазоне от 160 до 320, 2SB772E - в диапазоне от 200 до 400.Обозначение на корпусе транзистора 2SB772E часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B772E".Комплементарной парой для 2SB772E является транзистор 2SD882E c n-p-n структурой.Транзистор 2SB772E можно заменить на 2SB986, 2SB986-T, BD132, BD186, BD188, BD190, KSB772, KSB772-G, KSH772, KSH772-G, KTB772, KTB772-GR, MJE232, MJE235, MJE252, MJE254