Транзистор 2SB812A-R

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 40 до 90
• Корпус: TO-3P

Транзисторы серии 2SB812A делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB812A-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 90, 2SB812A-Q - в диапазоне от 70 до 150, 2SB812A-P - в диапазоне от 120 до 250.Обозначение на корпусе транзистора 2SB812A-R часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B812A-R".Комплементарной парой для 2SB812A-R является транзистор 2SD1032A-R c n-p-n структурой.Транзистор 2SB812A-R можно заменить на 2SA1106, 2SA2223, 2SA2223A, 2SB695, BD246B, BD246C, BD250B, BD250C, BD746B, BD746C, BDV94, BDV96, NTE391, TIP36CA