Транзистор 2SB827Цоколевка транзистора 2SB827Характеристики транзистора 2SB827- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
- Ток коллектора, не более: -7 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 280
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
- Корпус: TO-3P
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SB827 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB827-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 70 до 140, 2SB827-R - в диапазоне от 100 до 200, 2SB827-S - в диапазоне от 140 до 280. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SB827 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " B827". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SB827 является транзистор 2SD1063 c n-p-n структурой. АналогиТранзистор 2SB827 можно заменить на 2SA1106, 2SA1292, 2SB828, 2SB829, 2SB965, 2SB966, BD246A, BD246B, BD246C, BD250A, BD250B, BD250C, BDV92, BDV94, BDV96, TIP36CA
|