Транзистор 2SB827-R

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -7 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 100 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
• Корпус: TO-3P

Транзисторы серии 2SB827 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB827-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 70 до 140, 2SB827-R - в диапазоне от 100 до 200, 2SB827-S - в диапазоне от 140 до 280.Обозначение на корпусе транзистора 2SB827-R часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B827-R".Комплементарной парой для 2SB827-R является транзистор 2SD1063-R c n-p-n структурой.Транзистор 2SB827-R можно заменить на 2SA1093, 2SA1106, 2SA1146, 2SA1292, 2SA1292-R, 2SB1162, 2SB1162-P, 2SB1163, 2SB1163-P, 2SB1361, 2SB1361-P, 2SB1362, 2SB1362-P, 2SB695, 2SB753, 2SB816, 2SB816-E, 2SB817, 2SB817-E, 2SB828, 2SB828-R, 2SB829, 2SB829-R, 2SB965, 2SB965-Q, 2SB966, 2SB966-Q, BD246A, BD246B, BD246C, BD250A, BD250B, BD250C, BDV92, BDV94, BDV96, KTB817, KTB817-Y, KTB817B, KTB817B-Y, MJL4302A, MJL4302AG, TIP36CA