Транзистор 2SB857

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -70 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 60 до 320
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 15 МГц
• Корпус: TO-220

Транзисторы серии 2SB857 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB857-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB857-C - в диапазоне от 100 до 200, 2SB857-D - в диапазоне от 160 до 320.Обозначение на корпусе транзистора 2SB857 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B857".Комплементарной парой для 2SB857 является транзистор 2SD1133 c n-p-n структурой.Транзистор 2SB857 можно заменить на 2SA1488A, 2SA1634, 2SA1635, 2SA771, 2SB633, 2SB858, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD800, BD802, BD808, BD810, BD952, BD954, BD956, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G