Транзистор 2SC536N

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -0.15 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 160 до 560
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 200 МГц
• Корпус: TO-92

Транзисторы серии 2SC536N делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SC536N-F имеет коэффициент усиления в диапазоне от 160 до 320, 2SC536N-G - в диапазоне от 280 до 560.Обозначение на корпусе транзистора 2SC536N часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "C536N".Комплементарной парой для 2SC536N является транзистор 2SA608N c p-n-p структурой.Транзистор 2SC536N можно заменить на 2SA1246, 2SA1318, 2SA1481, 2SB1116, 2SB560, 2SB892, 2SB985, A733, H733, KSA733C, KSB1116, KSB1116S, KTA1279