Транзистор 2SD1032AЦоколевка транзистора 2SD1032AХарактеристики транзистора 2SD1032A- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 4 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 250
- Корпус: TO-3P
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SD1032A делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1032A-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 90, 2SD1032A-Q - в диапазоне от 70 до 150, 2SD1032A-P - в диапазоне от 120 до 250. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SD1032A часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " D1032A". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SD1032A является транзистор 2SB812A c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2SD1032A можно заменить на 2SC2555, 2SC2625, 2SC3306, 2SC3320, 2SC3783, 2SC3796, 2SC3796A, 2SC3797, 2SC3886, 2SC3886A, 2SD1313, 2SD1399, 2SD1402, 2SD1403, BD245B, BD245C, BD249B, BD249C, BDV93, BDV95, MJH16002, MJH16004, MJH16006, MJH16008, TIP35CA
|