Транзистор 2SD1220-OЦоколевка транзистора 2SD1220-OХарактеристики транзистора 2SD1220-O- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 150 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 150 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
- Ток коллектора, не более: 1.5 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
- Корпус: TO-251
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SD1220 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1220-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SD1220-O - в диапазоне от 100 до 200, 2SD1220-Y - в диапазоне от 160 до 320. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SD1220-O часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " D1220-O". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SD1220-O является транзистор 2SB905-O c p-n-p структурой.
|